(0)
Изображение служит лишь для справки
STGWT20V60F
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-3P-3, SC-65-3
- IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Date Sheet
Lagernummer 444
- 1+： $2.60980
- 10+： $2.46207
- 100+： $2.32271
- 500+： $2.19124
- 1000+： $2.06720
Zwischensummenbetrag $2.60980
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя：32 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-3P-3, SC-65-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 20A, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：167W
- Основной номер части：STGWT20
- Число контактов：2
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：167W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：40A
- Время включения：49 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.2V @ 15V, 20A
- Время выключения (toff)：173 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：116nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：80A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：38ns/149ns
- Переключаемый энергопотребление：200μJ (on), 130μJ (off)
- Высота：20.1mm
- Длина：15.8mm
- Ширина：5mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 444
- 1+： $2.60980
- 10+： $2.46207
- 100+： $2.32271
- 500+： $2.19124
- 1000+： $2.06720
Итого $2.60980
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
