![](https://static.whisyee.com/dimg/stmicroelectronics-stpsc2006cw-4626.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
STGWA35HF60WDI
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Date Sheet
Lagernummer 875
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:600V
- Количество элементов:1
- Условия испытания:390V, 20A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:260W
- Основной номер части:STGW35
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация элемента:Single
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:260W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):600V
- Максимальный ток сбора:70A
- Время обратной рекомпенсации:85 ns
- Время включения:45 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 20A
- Время выключения (toff):295 ns
- Зарядная мощность:140nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):150A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:30ns/175ns
- Переключаемый энергопотребление:185μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:5.75V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 875
Итого $0.00000