![](https://static.whisyee.com/dimg/stmicroelectronics-stgfw30h65fb-8487.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
STGFW30NC60V
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-3P-3 Full Pack
- IGBT Transistors 40 A 600V Very Fast High Freq 50KHz IGBT
Date Sheet
Lagernummer 290
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-3P-3 Full Pack
- Диэлектрический пробой напряжение:600V
- Условия испытания:390V, 20A, 3.3 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:PowerMESH™
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная потеря мощности:80W
- Основной номер части:STGFW30
- Конфигурация элемента:Single
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:80W
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):600V
- Максимальный ток сбора:36A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 20A
- Зарядная мощность:100nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):100A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:31ns/100ns
- Переключаемый энергопотребление:220μJ (on), 330μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:5.75V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 290
Итого $0.00000