Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RM04N30S2
Изображение служит лишь для справки
RM04N30S2
-
Rectron
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-3
- MOSFET, Rds-on - 58mOhms, Total Gate Charge typ - 4.0nQ, Max Power Dissipation - 1.7W, Vgs(th) - 1.5V, Polarity - N-Channel
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：SMD/SMT
- Корпус / Кейс：SOT-23-3
- Производитель：RECTRON
- РХОС：Y
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：10 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.2 V
- Распад мощности：1.7 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.000282 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：11 S
- Режим канала：Enhancement
- Бренд：Rectron
- Зарядная характеристика ворот：4 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：58 mOhms
- Время задержки отключения типичного：10 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：3.6 A
- Пакетирование：Case - SOT-23
- Капацитивность：Input Capacitance (Ciss) - 230pF
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Напряжение：Vdss - 30V
- Время подъема：50 ns
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 31
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты