RM3A6N30S2

Name: Rectron RM3A6N30S2
Brand: Rectron
Rating: 4.6 (9 reviews)

Rectron
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-23-3
MOSFET, Rds-on - 58mOhms, Total Gate Charge typ - 4.0nQ, Max Power Dissipation - 1.7W, Vgs(th) - 1.5V, Polarity - N-Channel
Date Sheet

Lagernummer 39

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：SMD/SMT
Корпус / Кейс：SOT-23-3
Производитель：RECTRON
РХОС：Y
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Время типичного задержки включения：10 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
Распад мощности：1.7 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.000282 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：11 S
Режим канала：Enhancement
Бренд：Rectron
Зарядная характеристика ворот：4 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：73 mOhms
Время задержки отключения типичного：10 ns
Id - Непрерывный ток разряда：3.6 A
Пакетирование：Case - SOT-23
Капацитивность：Input Capacitance (Ciss) - 230pF
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Напряжение：Vdss - 30V
Время подъема：50 ns
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Категория продукта：MOSFET

Со склада 39

Итого $0.00000