Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RM11N800T1
Изображение служит лишь для справки
RM11N800T1
-
Rectron
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220F-3
- MOSFET TO-220F MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-220F-3
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
- Время типичного задержки включения：12 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Распад мощности：33.8 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Вес единицы：0.068784 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Минимальная прямая транконductанс：7 S
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Rectron
- Бренд：Rectron
- Зарядная характеристика ворот：48 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：420 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：62 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：11 A
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：7 ns
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 31
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты