(0)
Изображение служит лишь для справки
MIEB101H1200EH
-
IXYS
-
Транзисторы - Модули IGBT
- E3
- IGBT Modules IGBT Module H Bridge
Date Sheet
Lagernummer 3
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Chassis Mount
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：E3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：4
- Рабочая температура：-40°C~125°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：14
- Дополнительная Характеристика：UL RECOGNIZED
- Максимальная потеря мощности：630W
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код JESD-30：R-PUFM-X14
- Конфигурация：Full Bridge Inverter
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：630W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.2V
- Максимальный ток сбора：183A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：300μA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Входной ёмкости：7.43nF
- Время включения：175 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.2V @ 15V, 100A
- Время выключения (toff)：700 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：7.43nF @ 25V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
