(0)
Изображение служит лишь для справки
FD150R12RT4HOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MOD 1200V 150A 790W
Date Sheet
Lagernummer 2130
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Количество контактов：5
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Серия：C
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：790W
- Положение терминала：UPPER
- Число контактов：7
- Код JESD-30：R-XUFM-X4
- Конфигурация：Single Chopper
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：790W
- Сокетная связка：ISOLATED
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：150A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：185 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.15V @ 15V, 150A
- Время выключения (toff)：490 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：9.3nF @ 25V
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2130
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
