MMBTH10LT1G

Name: ON Semiconductor MMBTH10LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (17 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
Date Sheet

Lagernummer 2113

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：25V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：60
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：25V
Максимальная потеря мощности：225mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：4mA
Частота：650MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBTH10
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：225mW
Без галогенов：Halogen Free
Продуктивность полосы частот：650MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：25V
Максимальный ток сбора：100nA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 4mA 10V
Частота перехода：650MHz
Максимальное напряжение разрушения：25V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：3V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Сопротивление базы-эмиттора макс：0.7pF
Высота：1.11mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2113

Итого $0.00000