(0)
Изображение служит лишь для справки
BFP181E7764HTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- TO-253-4, TO-253AA
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143
Date Sheet
Lagernummer 184
- 1+： $0.14600
- 10+： $0.13774
- 100+： $0.12994
- 500+： $0.12258
- 1000+： $0.11565
Zwischensummenbetrag $0.14600
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-253-4, TO-253AA
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：20mA
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：12V
- Максимальная потеря мощности：175mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：20mA
- Частота：8GHz
- Основной номер части：BFP181
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：175mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：12V
- Максимальный ток сбора：20mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 70mA 8V
- Увеличение：17.5dB ~ 21dB
- Частота перехода：8000MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：2V
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 184
- 1+： $0.14600
- 10+： $0.13774
- 100+： $0.12994
- 500+： $0.12258
- 1000+： $0.11565
Итого $0.14600
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
