Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHK105N60E-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHK105N60E-T1-GE3
-
Vishay
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerBSFN
- E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Date Sheet
Lagernummer 2493
- 1+： $2.66065
- 10+： $2.51005
- 100+： $2.36797
- 500+： $2.23393
- 1000+： $2.10748
Zwischensummenbetrag $2.66065
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerBSFN
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK®10 x 12
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Vishay Siliconix
- Максимальная мощность рассеяния：142W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：EF
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：105mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2301 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：51 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2493
- 1+： $2.66065
- 10+： $2.51005
- 100+： $2.36797
- 500+： $2.23393
- 1000+： $2.10748
Итого $2.66065
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты