BC857CDW1T1G

Name: ON Semiconductor BC857CDW1T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ON SEMICONDUCTOR - BC857CDW1T1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE
Date Sheet

Lagernummer 9949

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：420
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-45V
Максимальная потеря мощности：380mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-100mA
Частота：100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BC857CD
Число контактов：6
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：380mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：100MHz
Тип транзистора：2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода：100MHz
Максимальное напряжение разрушения：45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：1.1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 9949

Итого $0.00000