MMBT5401LT1G

Name: ON Semiconductor MMBT5401LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (7 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PNP 150V 0.5A SOT23
Date Sheet

Lagernummer 83293

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：-150V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：50
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-150V
Максимальная потеря мощности：300mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-500mA
Частота：300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBT5401
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：300MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：150V
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода：100MHz
Максимальное напряжение разрушения：150V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：940μm
Длина：2.9mm
Ширина：1.3mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 83293

Итого $0.00000