BC848C-7-F

Name: Diodes Incorporated BC848C-7-F
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.9 (11 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 1133

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：7.994566mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：30V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：420
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：300mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Частота：300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BC848C
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：310mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：300MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：30V
Максимальный ток сбора：200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода：300MHz
Максимальное напряжение разрушения：30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Высота：1.1mm
Длина：3.05mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1133

Итого $0.00000