BC847BW-7-F

Name: Diodes Incorporated BC847BW-7-F
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 5 (19 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
SC-70, SOT-323
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
Date Sheet

Lagernummer 1437

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
Количество контактов：3
Вес：6.010099mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：200
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Частота：300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BC847
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：200mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：300MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：20nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода：300MHz
Максимальное напряжение разрушения：45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1437

Итого $0.00000