(0)
Изображение служит лишь для справки
PBHV2160ZX
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- PBHV Series 600 V 0.1 A NPN High Voltage Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-223
Date Sheet
Lagernummer 38000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2015
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Максимальная потеря мощности：650mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：4
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：650mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：125mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 10mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：125mV @ 6mA, 30mA
- Максимальное напряжение разрушения：600V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 38000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
