TIP111G

Name: ON Semiconductor TIP111G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3
Trans Darlington NPN 80V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：30V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：500
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Максимальная потеря мощности：2W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：2A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：TIP11*
Число контактов：3
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 1A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：2mA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 8mA, 2A
Частота перехода：440MHz
Максимальное напряжение разрушения：80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：15.75mm
Длина：10.28mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000