D45H11G

Name: ON Semiconductor D45H11G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (8 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3
Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：60
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
Ток постоянного напряжения - номинальный：-80V
Максимальная потеря мощности：2W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-10A
Частота：40MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：D45H
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：40MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 4A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 400mA, 8A
Частота перехода：40MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：9.28mm
Длина：10.28mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000