(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BSS84AKS,115
Изображение служит лишь для справки
BSS84AKS,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Dual P-Channel 50 V 7.5 Ohm 0.26 nC Surface Mount Trench Mosfet - SOT-363
Date Sheet
Lagernummer 3025
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：160mA
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：445mW
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5 Ω @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：36pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.35nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：50V
- Сопротивление открытого канала-макс：8.5Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：50V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3025
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
