DMP3085LSD-13

Name: Diodes Incorporated DMP3085LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.9 (8 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Date Sheet

Lagernummer 5000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：23 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.9A
Количество элементов：2
Время отключения：31 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Digi-Reel®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：1.1W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Нормативная Марка：AEC-Q101
Каналов количество：2
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.1W
Время задержки включения：4.8 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：70m Ω @ 5.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：563pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11nC @ 10V
Время подъема：5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：14.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-3.9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.07Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.7mm
Длина：4.95mm
Ширина：3.95mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5000

Итого $0.00000