(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6N58NU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6N58NU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-WDFN Exposed Pad
- MOSFET N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
Date Sheet
Lagernummer 127743
- 1+： $0.37374
- 10+： $0.35258
- 100+： $0.33263
- 500+： $0.31380
- 1000+： $0.29604
Zwischensummenbetrag $0.37374
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-WDFN Exposed Pad
- Количество контактов：6
- Время отключения：9 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：1W
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Время задержки включения：26 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：84m Ω @ 2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：129pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.8nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Непрерывный ток стока (ID)：4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：1V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 1.8V Drive
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 127743
- 1+： $0.37374
- 10+： $0.35258
- 100+： $0.33263
- 500+： $0.31380
- 1000+： $0.29604
Итого $0.37374
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
