DMG6602SVTQ-7

Name: Diodes Incorporated DMG6602SVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.6 (20 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Date Sheet

Lagernummer 25887

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.4A 2.8A
Количество элементов：2
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：840mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PDSO-G6
Каналов количество：2
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：840mW
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：60m Ω @ 3.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：400pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：2.8A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.06Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Standard
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：80 pF
Высота：1mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 25887

Итого $0.00000