NDC7002N

Name: ON Semiconductor NDC7002N
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (6 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов：6
Вес：36mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：11 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：1998
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：2Ohm
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：700mW
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：350mA
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：960mW
Время задержки включения：6 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2 Ω @ 510mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：20pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1nC @ 10V
Время подъема：6ns
Время падения (тип)：6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：510mA
Пороговое напряжение：1.9V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.51A
Напряжение пробоя стока к истоку：50V
Двухпитание напряжения：50V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：1.9 V
Высота：900μm
Длина：3mm
Ширина：1.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3000

Итого $0.00000