(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN2400UV-7
Изображение служит лишь для справки
DMN2400UV-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Date Sheet
Lagernummer 4
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Количество контактов：6
- Вес：3.005049mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：13.74 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Digi-Reel®
- Опубликовано：2017
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：500mOhm
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
- Максимальная потеря мощности：530mW
- Форма вывода：FLAT
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：530mW
- Время задержки включения：4.06 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：480m Ω @ 200mA, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：900mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：36pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.5nC @ 4.5V
- Время подъема：7.28ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：10.54 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：1.33A
- Пороговое напряжение：900mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：600μm
- Длина：1.7mm
- Ширина：1.25mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 4
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
