EM6K1T2R

Name: ROHM Semiconductor EM6K1T2R
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.7 (10 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-563, SOT-666
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
Date Sheet

Lagernummer 40000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：80 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：13Ohm
Конечная обработка контакта：TIN COPPER
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：*K1
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：150mW
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8 Ω @ 10mA, 4V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：13pF @ 5V
Время подъема：35ns
Время падения (тип)：35 ns
Непрерывный ток стока (ID)：100mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.1A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Двухпитание напряжения：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：1.5 V
Высота：500μm
Длина：1.6mm
Ширина：1.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 40000

Итого $0.00000