(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6N7002BFE,LM
Изображение служит лишь для справки
SSM6N7002BFE,LM
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Date Sheet
Lagernummer 27796
- 1+： $0.18055
- 10+： $0.17033
- 100+： $0.16069
- 500+： $0.15160
- 1000+： $0.14302
Zwischensummenbetrag $0.18055
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Каналов количество：2
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.1 Ω @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：17pF @ 25V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Непрерывный ток стока (ID)：200mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：550μm
- Длина：1.6mm
- Ширина：1.2mm
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 27796
- 1+： $0.18055
- 10+： $0.17033
- 100+： $0.16069
- 500+： $0.15160
- 1000+： $0.14302
Итого $0.18055
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
