SI1926DL-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1926DL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Price: 0.4796667 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (13 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Date Sheet

Lagernummer 3159

1+： $0.47967
10+： $0.45252
100+： $0.42690
500+： $0.40274
1000+： $0.37994

Zwischensummenbetrag $0.47967

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：13 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：510mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：6
Код JESD-30：R-PDSO-G6
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：6.5 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4 Ω @ 340mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：18.5pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.4nC @ 10V
Время подъема：12ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Время падения (тип)：14 ns
Непрерывный ток стока (ID)：370mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 3159

1+： $0.47967
10+： $0.45252
100+： $0.42690
500+： $0.40274
1000+： $0.37994

Итого $0.47967