FDG6321C

Name: ON Semiconductor FDG6321C
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (13 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
Date Sheet

Lagernummer 128750

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：10 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：28mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：500mA 410mA
Количество элементов：2
Время отключения：55 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2017
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：450mOhm
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Максимальная потеря мощности：300mW
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：500mA
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：300mW
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450m Ω @ 500mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.3nC @ 4.5V
Время подъема：8ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)：8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：500mA
Пороговое напряжение：800mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.5A
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.1mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 128750

Итого $0.00000