IRF7307TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7307TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (20 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 573

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.2A 4.3A
Количество элементов：2
Время отключения：51 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：1997
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：50mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW RESISTANCE
Максимальная потеря мощности：2W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：5.2A
Основной номер части：IRF7307PBF
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 2.6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：700mV @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：660pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 4.5V
Время подъема：26ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)：33 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5.2A
Пороговое напряжение：700mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：700 mV
Высота：1.4986mm
Длина：4.9784mm
Ширина：3.9878mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 573

Итого $0.00000