(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IPG20N10S4L35ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPG20N10S4L35ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- Trans MOSFET N-CH 100V 20A
Date Sheet
Lagernummer 11326
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Количество элементов：2
- Время отключения：18 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：43W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Распад мощности：43W
- Время задержки включения：3 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：35m Ω @ 17A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 16μA
- Без галогенов：Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1105pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17.4nC @ 10V
- Время подъема：2ns
- Время падения (тип)：13 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：20A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：100V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 11326
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
