(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DF11MR12W1M1B11BPSA1
Изображение служит лишь для справки
DF11MR12W1M1B11BPSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- MOSFET MOD 1200V 50A
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A Tj
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Серия：CoolSiC™+
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
- Мощность - Макс：20mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22.5m Ω @ 50A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.55V @ 20mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3680pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：124nC @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
