(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6P15FE(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
SSM6P15FE(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Date Sheet
Lagernummer 14930
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Количество контактов：6
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Код соответствия REACH：unknown
- Основной номер части：SSM6P15
- Распад мощности：150mW
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12 Ω @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.7V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9.1pF @ 3V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Непрерывный ток стока (ID)：100mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 14930
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
