(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6N35AFE,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6N35AFE,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
Date Sheet
Lagernummer 42252
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：250mA Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Форма вывода：FLAT
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：250mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.1 Ω @ 150mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：36pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.34nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.25A
- Сопротивление открытого канала-макс：2.4Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 1.2V Drive
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：10 pF
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 42252
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
