FDG6318PZ

Name: ON Semiconductor FDG6318PZ
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET Dual PCh Digital
Date Sheet

Lagernummer 629

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：28mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2003
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：780MOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
Максимальная потеря мощности：300mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：300mW
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：780m Ω @ 500mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：85.4pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.62nC @ 4.5V
Время подъема：13ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Время падения (тип)：13 ns
Непрерывный ток стока (ID)：500mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.5A
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1mm
Длина：2mm
Ширина：1.25mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 629

Итого $0.00000