DMN2050LFDB-13

Name: Diodes Incorporated DMN2050LFDB-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.5 (11 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-UDFN Exposed Pad
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Date Sheet

Lagernummer 17542

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e4
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：730mW
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：S-PDSO-N6
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：5 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：45m Ω @ 5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：389pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 10V
Время подъема：8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Время падения (тип)：8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальный сливовой ток (ID)：4.5A
Сопротивление открытого канала-макс：0.045Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 17542

Итого $0.00000