FDME1023PZT

Name: ON Semiconductor FDME1023PZT
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-UFDFN Exposed Pad
MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench
Date Sheet

Lagernummer 4632

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Корпус / Кейс：6-UFDFN Exposed Pad
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：6
Вес：25.2mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Время отключения：33 ns
Количество элементов：2
Опубликовано：2009
Серия：PowerTrench®
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика：ESD PROTECTION
Максимальная потеря мощности：1.4W
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.3W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：4.7 ns
Мощность - Макс：600mW
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：142m Ω @ 2.3A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：405pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.7nC @ 4.5V
Время подъема：4.8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Время падения (тип)：16 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.6A
Пороговое напряжение：-600mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：-600 mV
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：75 pF
Ширина：1.6mm
Длина：1.6mm
Высота：500μm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No
REACH SVHC：No SVHC

Со склада 4632

Итого $0.00000