(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы UT6JA2TCR
Изображение служит лишь для справки
UT6JA2TCR
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-PowerUDFN
- 30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 6022
- 1+： $0.56924
- 10+： $0.53702
- 100+： $0.50662
- 500+： $0.47794
- 1000+： $0.45089
Zwischensummenbetrag $0.56924
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-PowerUDFN
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Мощность - Макс：2W
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：70m Ω @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：305pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.7nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：4A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.103Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：12A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：6.5 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 6022
- 1+： $0.56924
- 10+： $0.53702
- 100+： $0.50662
- 500+： $0.47794
- 1000+： $0.45089
Итого $0.56924
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
