Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MTM78E2B0LBF
Изображение служит лишь для справки
MTM78E2B0LBF
- Panasonic Electronic Components
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SMD, Flat Lead
- MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 4A, WSMINI8-F1-B - More Details
- Date Sheet
Lagernummer 375
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SMD, Flat Lead
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:2 μs
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная потеря мощности:700mW
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:MTM78E2B
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:700mW
- Время задержки включения:200 ns
- Мощность - Макс:150mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:25m Ω @ 2A, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1100pF @ 10V
- Время подъема:500ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Время падения (тип):1.5 μs
- Непрерывный ток стока (ID):4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):12V
- Максимальный сливовой ток (ID):4A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.025Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Номинальное Vgs:850 mV
- Высота:600μm
- Длина:2mm
- Ширина:1.7mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 375
Итого $0.00000