CSD86330Q3D

Name: Texas Instruments CSD86330Q3D
Brand: Texas Instruments
Rating: 5 (14 reviews)

Texas Instruments
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerLDFN
TEXAS INSTRUMENTS CSD86330Q3D Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 V
Date Sheet

Lagernummer 558

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：6 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerLDFN
Количество контактов：8
Время отключения：15.8 ns
Уровень применения：Military grade
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：NexFET™
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：6W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Количество функций：1
Напряжение питания：12V
Шаг выводов：0.65mm
Основной номер части：CSD86330
Число контактов：8
Напряжение питания максимальное (Vпит)：22V
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：6W
Время задержки включения：5.3 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Half Bridge)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.6m Ω @ 14A, 8V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：920pF @ 12.5V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.2nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
Непрерывный ток стока (ID)：20A
Пороговое напряжение：1.4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Характеристики входа：STANDARD
Тип интерфейсного микросхемы：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Верхний драйвер：NO
Номинальное Vgs：1.4 V
Высота：1.5mm
Длина：3.3mm
Ширина：3.3mm
Толщина：1.5mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 558

Итого $0.00000