NTJD5121NT1G

Name: ON Semiconductor NTJD5121NT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
Date Sheet

Lagernummer 35974

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：16 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：34 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：1.6Ohm
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Максимальная потеря мощности：266mW
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：NTJD5121N
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：250W
Время задержки включения：22 ns
Мощность - Макс：250mW
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.6 Ω @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：26pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.9nC @ 4.5V
Время подъема：34ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Время падения (тип)：32 ns
Непрерывный ток стока (ID)：295mA
Пороговое напряжение：1.7V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：1.7 V
Высота：1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 35974

Итого $0.00000