(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FF11MR12W1M1B11BOMA1
Изображение служит лишь для справки
FF11MR12W1M1B11BOMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Date Sheet
Lagernummer 503
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Вид крепления：Chassis Mount
- Производитель идентификатор упаковки：AG-EASY1BM-2
- Время отключения：64.3 ns
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tray
- Серия：CoolSiC™+
- Опубликовано：2008
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
- Количество выводов：18
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-XUFM-X18
- Каналов количество：2
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：20mW
- Сокетная связка：ISOLATED
- Время задержки включения：25.1 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11m Ω @ 100A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.55V @ 40mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7950pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：250nC @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V 1.2kV
- Непрерывный ток стока (ID)：100A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Высота：12.35mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 503
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
