DMN63D8LV-7

Name: Diodes Incorporated DMN63D8LV-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.5 (18 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-563, SOT-666
MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Date Sheet

Lagernummer 8878

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：12 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：450mW
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：DMN63D8L
Нормативная Марка：AEC-Q101
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：450mW
Время задержки включения：3.3 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.8 Ω @ 250mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：22pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.87nC @ 10V
Время подъема：3.2ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：6.3 ns
Непрерывный ток стока (ID)：260mA
Пороговое напряжение：1.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：4.5Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：600μm
Длина：1.7mm
Ширина：1.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 8878

Итого $0.00000