Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDMQ86530L
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-fdmq86530l-0946.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FDMQ86530L
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 12-WDFN Exposed Pad
- MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5
Date Sheet
Lagernummer 24830
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:12-WDFN Exposed Pad
- Количество контактов:12
- Вес:242.3mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Производитель идентификатор упаковки:511CR
- Количество элементов:4
- Время отключения:22 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Digi-Reel®
- Серия:GreenBridge™ PowerTrench®
- Опубликовано:2010
- Код JESD-609:e4
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:12
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
- Максимальная потеря мощности:1.9W
- Положение терминала:DUAL
- Конфигурация:COMPLEX
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:1.9W
- Сокетная связка:DRAIN SOURCE
- Время задержки включения:8.8 ns
- Тип ТРВ:4 N-Channel (H-Bridge)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:17.5m Ω @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2295pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:33nC @ 10V
- Время подъема:3.8ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Время падения (тип):2.8 ns
- Непрерывный ток стока (ID):8A
- Пороговое напряжение:1.8V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):8A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0175Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:60V
- Максимальный импульсный ток вывода:50A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):15 pF
- Время включения максимальный (тон):28ns
- Высота:800μm
- Длина:5mm
- Ширина:4.5mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 24830
Итого $0.00000