(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 2N7002DWQ-7-F
Изображение служит лишь для справки
2N7002DWQ-7-F
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Date Sheet
Lagernummer 218
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：11 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2010
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Максимальная потеря мощности：310mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Каналов количество：2
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：310mW
- Время задержки включения：7 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5 Ω @ 50mA, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 25V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Непрерывный ток стока (ID)：230mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：70V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Характеристика ТРП：Standard
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
- Высота：1.1mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 218
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
