Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMC2700UDM-7
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-dt104204so7-6257.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMC2700UDM-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6
- Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
Date Sheet
Lagernummer 197760
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:17 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.34A 1.14A
- Количество элементов:2
- Время отключения:28.4 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
- Максимальная потеря мощности:1.12W
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:DMC2700UDM
- Число контактов:6
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:1.12W
- Время задержки включения:5.1 ns
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:400m Ω @ 600mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:60.67pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.74nC @ 4.5V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):1.14A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):6V
- Максимальный сливовой ток (ID):1.34A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.4Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:1.3mm
- Длина:3.1mm
- Ширина:1.7mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 197760
Итого $0.00000