(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6N7002KFU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6N7002KFU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
Date Sheet
Lagernummer 6931
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2015
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Максимальная потеря мощности：285mW
- Форма вывода：GULL WING
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：285mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：40pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Непрерывный ток стока (ID)：300mA
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.3A
- Сопротивление открытого канала-макс：1.75Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：60V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 6931
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
