(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NX3020NAKV,115
Изображение служит лишь для справки
NX3020NAKV,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual MOSFET, Dual N Channel, 200 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V
Date Sheet
Lagernummer 2804
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：34 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：375mW
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：6
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：5 ns
- Мощность - Макс：375mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.5 Ω @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：13pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.44nC @ 4.5V
- Время подъема：5ns
- Время падения (тип)：17 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：200mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：1.2V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2804
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
