(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NX3008PBKS,115
Изображение служит лишь для справки
NX3008PBKS,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- In a Pack of 75, Dual P-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia NX3008PBKS, 115
Date Sheet
Lagernummer 194
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов：6
- Количество элементов：2
- Время отключения：65 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：445mW
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：445mW
- Время задержки включения：19 ns
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.1 Ω @ 200mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：46pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.75nC @ 4.5V
- Время подъема：30ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：38 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：200mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：-30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 194
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
