(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMDPB58UPE,115
Изображение служит лишь для справки
PMDPB58UPE,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Date Sheet
Lagernummer 8707
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：41 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：515mW
- Число контактов：6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：7 ns
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：67m Ω @ 2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：950mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：804pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.5nC @ 4.5V
- Время подъема：15ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：14 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3.6A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：-20V
- Максимальный импульсный ток вывода：14.4A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 8707
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
