(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTJD4158CT1G
Изображение служит лишь для справки
NTJD4158CT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363
Date Sheet
Lagernummer 29162
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：250mA 880mA
- Количество элементов：2
- Время отключения：13.5 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2005
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：1.5Ohm
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：270mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：250mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：NTJD4158C
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：270mW
- Время задержки включения：15 ns
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 10mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：33pF @ 5V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.5nC @ 5V
- Время подъема：6.5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V 20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип)：3.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：880mA
- Пороговое напряжение：1.2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：1mm
- Длина：2.2mm
- Ширина：1.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 29162
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
